在光電子技術(shù)領(lǐng)域，紫外LED光源憑借其獨(dú)特優(yōu)勢，在工業(yè)和消費(fèi)電子等眾多領(lǐng)域嶄露頭角。其波長范圍從250nm至420nm，全面覆蓋了UVA、UVB、UVC 三個(gè)紫外波段。不過，盡管紫外固態(tài)光源已廣泛應(yīng)用，但不同波段的紫外LED光源在規(guī)?；a(chǎn)進(jìn)程中，依舊面臨著各式各樣的技術(shù)難題。

UVA波段的光源器件目前已取得顯著成果，能夠?qū)崿F(xiàn)較高的電光轉(zhuǎn)換效率。在光固化和光催化等應(yīng)用領(lǐng)域，它成功替代汞燈光源，成為******。然而，這并不意味著UVA固態(tài)光源已發(fā)展至極限，其電光效率仍存在較大的提升空間，亟待進(jìn)一步探索與突破。

UVB和UVC波段的LED器件則面臨著材料制備方面的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。隨著量子結(jié)構(gòu)中 Al 組分含量的不斷升高，制備高晶體質(zhì)量、高穩(wěn)定性的材料變得愈發(fā)困難。這些材料不僅要滿足晶體質(zhì)量的要求，還需具備良好的穩(wěn)定性，以確保在實(shí)際應(yīng)用中的性能表現(xiàn)。

對(duì)于UVC波段的深紫外 LED 器件而言，降低自吸收以及突破光提取效率是提升其光電轉(zhuǎn)換效率（WPE）的關(guān)鍵所在。在相關(guān)研究工作中，科研人員將重點(diǎn)聚焦于高晶體質(zhì)量 AlxGa1-xN 外延技術(shù)。通過采用 NPSS（納米圖案藍(lán)寶石襯底）和超晶格插入層等手段，有效減少量子結(jié)構(gòu)中的缺陷和應(yīng)力。同時(shí)，創(chuàng)新性地引入高反射電極體系，以此提升 LED 器件的光子提取效率，從而推動(dòng)紫外（UVA/B/C）全線產(chǎn)品在性能上實(shí)現(xiàn)質(zhì)的飛躍。